MPQ1918-AEC1

MPQ1918-AEC1设计用于驱动增强模式氮化镓(GaN) fet和低栅阈值电压n通道mosfet在半桥或同步应用中。MPQ1918-AEC1采用独立的高端(HS)和低端(LS)脉宽调制(PWM)输入。

MPQ1918-AEC1采用HS驱动电压自举(BST)技术，可工作到100V。这种新的充电技术可以防止HS驱动电压超过5V驱动电源电压(V_CC)．这防止了栅电压超过增强模式GaN fet的最大栅源电压额定值。

该装置有两个独立的门输出。这些输出允许通过向门环路添加阻抗来独立调整开关能力。该IC的工作频率可达几兆赫。

MPQ1918-AEC1采用emi优化的FCQFN-14 (3mmx3mm)封装，具有可湿侧翼。