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100V, 1.6A, 5A, emi优化半桥GaN驱动器,AEC-Q100合格
数据表
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MPQ1918-AEC1设计用于半桥或同步应用中驱动增强模式氮化镓(GaN) fet和低门阈值电压n沟道mosfet。MPQ1918-AEC1采用独立的高侧(HS)和低侧(LS)脉宽调制(PWM)输入。
MPQ1918-AEC1采用自举(BST)技术为HS驱动电压,可工作到100V。这种新的充电技术可以防止HS驱动电压超过5V驱动电源电压(VCC).这可以防止栅极电压超过增强型GaN fet的最大栅极源电压额定值。
该设备有两个独立的门输出。这些输出允许通过向栅极环路添加阻抗来独立调节开关和关断能力。集成电路的工作频率可达几兆赫。
MPQ1918-AEC1采用emi优化的FCQFN-14 (3mmx3mm)封装,具有可湿性侧翼。
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MPQ1918GQE-AEC1-Z MPQ1918GQE-AEC1-P
以P和Z结尾的零件号是相同的零件。P和Z仅表示卷筒大小。
P和Z的意思
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